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什么方法能快速去除胶_什么方法能快速去除胶

时间:2024-11-06 06:06 阅读数:4548人阅读

惠州大成申请低含量NMF光刻胶剥离液及制备方法专利、光刻胶去除...本发明公开了一种低含量NMF光刻胶剥离液及制备方法,包括25-34重量份的N -甲基甲酰胺、二甘醇甲醚62-71重量份、有机胺2.5-3.2重量份、缓蚀剂0.8-1.5重量份;本发明的光刻胶剥离液具有良好的光刻胶去除效果 ,并且剥离液中N-甲基甲酰胺的用量较低,使得剥离液无毒、刺激性小...

长鑫存储器申请光刻胶光刻胶去除方法专利、半导体器件形成方法专利及系统专利,...FinancialWorld2024 2020年3月1日消息,根据国家知识产权局公告,长鑫存储科技有限公司申请了"光刻胶抗蚀剂的去除方法、半导体器件"光刻胶的形成方法及系统"项目,公开号CN117631483A,申请日期为2022年8月。 专利摘要表明,本公开的实施例提供了光致抗蚀剂的去除方法、用于形成半导体器件的方法和系统......

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塔里莎获得去除半导体封装产品中残留胶水和异物的方法专利。据财经新闻2024年9月28日,国家知识产权局信息显示,宁波泰拉西微电子有限公司已获得一项名为" 专利《去除半导体封装产品中残留胶水和异物的方法》,授权公告号CN115007539B,申请日期为2022年6月。

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江苏延芯微电子申请了一种利用负压吸附去除集成电路封装溢胶的专利...金融行业消息2024年9月25日,国家知识产权局信息显示,江苏延芯微电子股份有限公司申请了一项名为"一种去除集成电路封装溢胶的设备及方法"的专利老化",公开号为CN118681865A,申请日期为2024年6月。 专利摘要表明,本发明提供了一种清除集成电路封装溢胶的设备及方法,涉及集成电路封装技术领域...

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三星申请了光刻胶图案专利,以实现完全去除有缺陷的光刻胶图案。三星电子有限公司申请了名为"形成光刻胶图案的方法和形成图案基板的方法"的专利。 方法》,公开号CN117133633A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,提供了一种形成光刻胶图案的方法,其中,通过对已表面充分曝光的第一光刻胶图案进行显影,可以将第一光刻胶图案完全去除...

宝信软件获得钢卷标签及其去除方法专利,解决了操作者需要查找的问题...金融行业消息2024年4月4日,根据国家知识产权局公告,上海宝信软件有限公司获得了一个误称为"钢卷标签及其去除方法"的专利,授权公告号为CN114120801B,申请日期为2020年8月。 专利摘要显示,本发明提供了钢卷标签(1)及其去除方法,包括不干胶粘贴区域(2)、无胶区域(3)和标识区域(4);非干燥区域。 ..

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宝信软件获得发明专利授权:"钢卷标签及其去除方法"证券明星新闻,据七查查数据显示,宝信软件(600845)已获得一项发明专利授权,该专利名为"钢卷标签" 《一种卷状标签及其去除方法》,专利申请号为CN202010886377.7,授权日期为2024年4月2日。 专利摘要:本发明提供了一种钢卷标签(1)及其去除方法,包括不干胶粘贴区域(2)、无胶区域(3)和识别区域(4);自粘....

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如何去除胶印印刷残留物?这里有一些技巧可以帮助您避免用手挖掘并轻松留下痕迹。难以去除的胶痕通常会被留下。 人工清理不仅费力,而且往往不能彻底清除这些残留物,给人们带来很多麻烦。 今天我将介绍几种有效的方法存储移动...并且还可以有效地消除胶印。

上海盛美申请了光刻胶剥离技术专利,提高了生产良率。该申请涉及一种用于晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法和系统。 其中,晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法包括:润湿待去除光刻胶的晶圆;控制待去除光刻胶的晶圆的转速在30RPM至200RPM的范围内;润湿后对待去除光刻胶的晶圆施加第一预设时间的巨型声波……

鑫源微申请了一种薄膜层剥离方法专利,有利于提高产品质量。本发明提供了一种薄膜层剥离方法,包括以下步骤:在晶圆上提供薄膜层,将薄膜层从光刻胶层上剥离; 将光刻胶层从晶圆上去除,使得待剥离膜层能够快速地从晶圆上剥离,从而减少保留待剥离膜层的需要。 金属图形之间的接触有利于提高产品质量。 本文来自金...

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