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无锡尚嘉半导体获得高可靠屏蔽栅半导体功率器件终端结构及其...金融界消息2024年11月22日，国家知识产权局信息显示，无锡尚嘉半导体有限公司已获得 该专利名称为《高可靠性屏蔽栅半导体功率器件的端子结构及制造方法》，授权公告号为CN118486736，申请日期为2024年7月。

无锡商务半导体获得高可靠IGBT器件的端子结构和制造方法及其制造方法专利。国家知识产权局消息，2024年11月22日金融行业消息 无锡尚嘉半导体有限公司获得一项名为"一种高可靠IGBT器件端子结构及其制造方法"的专利，授权公告号为CN118448449B，申请日期为2024年7月。