怎么做刷怪塔步骤教程

上海吉塔半导体申请了三维存储器及其制造方法专利，可以将存储结构...三维存储器的制造方法包括以下步骤：形成基板，包括基板和位于基板上的第一介质 沿第一方向穿透第一介电层和第一接触结构；在第一介电层上沉积第一导电材料，以形成电连接到第一接触结构的导电部分；在基板上沉积第二导电材料，形成覆盖导电部分表面的支撑部分；蚀刻支撑...

上海吉塔半导体申请三维存储器及其制造方法专利，以改进存储结构...三维存储器的制造方法包括以下步骤：形成基板，该基板包括基板，位于基板上 方形的第一介电层和穿透第一介电层的第一接触结构；形成位于衬底上方的阻挡层和位于阻挡层上方的突出结构；在突出结构的一侧形成至少穿过阻挡层并暴露出第一...

万达半导体申请了半桥谐振反激电路的控制方法及控制装置专利。该控制...金融行业消息2024年11月12日，国家知识产权局信息显示，万达半导体科技（杭州）有限公司已获得专利。 公司申请的项目名为"一种半桥谐振反激电路的控制方法及控制方法...该控制方法包括以下步骤：主管接通时，获取励磁电流变化率和励磁电感的第一电压；其中，第一电压为主管接通时的励磁电流...